
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiC MOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对——共模电流,共源极电感的影响与应对,以及驱动电路设计。<br/>【推荐语】<br/>一本介绍碳化硅器件与测试应用技术的专著。首先,注重搭建知识框架,不一味追求*新学术研究成果,而是选择能够实际应用的技术,切实解决SiC器件的应用问题。其次,书中使用大量篇幅对测试设备、测试方法行了详细的讲解,帮助功率器件和电力电子研究者和工程师弥补测试技术这一短板。<br/>【作者】<br/>现任泰科天润半导体技术有限公司应用测试中心主任。主要从事功率半导体器件特性测试、评估及其在功率变换器上应用的关键技术的研究工作,致力于碳化硅功率器件市场应用的推广,被领先的测试解决方案提供商泰克科技聘为电源功率器件领域外部专家。 2012年和2015年分别于西安交通大学获学士和硕士学位,发表学术论文5篇,出版专著《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》。<br/>
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